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浙江大學發表于光學技術期刊第 3 4 卷 增 刊 2 0 0 8年1 2月 文章編號 : 100221582 (2008) S20196202 中明確提到氦氖激光器作為一種傳統的光源,易受外界震動以及溫度和濕度的變化對其輸出光功率影響較大 ,如果一段時間不使用 ,常常會發生不能正常發光的情況 ,壽命相對較短 ,外形尺寸龐大 ,需要高壓激勵 ,電磁干擾嚴重, 而半導體激光器具有體積小 ,重量輕、效率高、壽命長、使用方便等一系列優點 ,是取代 He-Ne 激光器的理想光源。半導體激光器通過使用恒流源驅動配合PID溫控自動調節系統，加上獨特的光路設計系統和自校準功能可使紅外結石分析儀設備達到比使用He-Ne激光器設備更優異的技術參數要求，目前主流紅外設備廠家（如美國賽默飛世爾科技的Nicolet iS 5 FT-IR 光譜儀和德國布魯克布魯克INVENIO傅立葉變換紅外光譜儀使用的都是半導體激光器），半導體激光器代表著儀器未來發展的主流方向。調制性能及功率控制半導體激光器可以進行高速的數字及模擬調制。其數字調制（TTL 調制）可達 350MHz，上升沿下降延時間均小于 1 個納秒，過沖小于 10％。模擬調制也可達 5MHz。而且半導體激光的輸出功率可以通過對輸入電流的控制或模擬調制信號方便地進行控制。而氦氖激光器一般無法提供調制功能功率也無法進行調節。